Samsung, yeni eUFS depolama birimlerinin seri üretimi 512 teknolojisine sahip 3.1GB ve bugünden itibaren piyasaya süreceği yeni high-end'inde kullanacağı.
Bu şekilde, Koreli şirket önceki 512GB eUFS 3.0'a kıyasla üç kat daha hızlı yazma hızları sunabilecek ve bununla birlikte 1 GB / sn performans rakamını kırar bir akıllı telefondan depoda.
Samsung Electronics'de Bellek Satış ve Pazarlamadan Sorumlu Genel Müdür Yardımcısı Cheol Choi'nin yorumladığı gibi, marka, kullanıcıların şunları yapmasını sağlayan gelişmiş depolama teknolojisini sunuyor: bu darboğazlardan kaçının standart hafıza kartları ile karşı karşıyalar.
Bu teknoloji şunları sunar: 1.200MB / s sıralı yazma hızları540 MB / sn ile PC'lerde görülen SATA teknolojisinin iki katına ve 10 MB / sn ile bir UHS-I kartın 90 kata varan hızına ulaşılmasına neden oluyor.
Bu hızlar, kullanıcının harika bir yazma hızının keyfini çıkarmasını ve 8K video dosyalarını taşıyabilir veya bir grup görüntü ve video dosyasını aynı anda telefonunuzda taşıyın. Bu 3.1 teknolojisine sahip yeni cep telefonlarının, önceki UFS 1,5 teknolojisiyle 100 dakikadan fazla zamana ihtiyaç duyduklarında 3.0 GB veriyi taşımak için 4 dakikaya ihtiyaç duyacağını konuşuyoruz.
Bu teknoloji aynı zamanda rastgele performansta da mükemmeldir, eUFS 512GB 3.1, 60 sürümünden% 3.0 daha hızlı, okumalar için saniyede 100.000'e kadar G / Ç işlemi ve yazma için 70.000 IOPS sağlamak için.
512GB modeli dışında, Samsung ayrıca 128 ve 256 GB kapasitelere sahiptir daha sonra piyasaya sürülecek olan üst düzey için; ve burada, bu hızların keyfini çıkaracak olan Not 20 olacağını da dahil edin.
Tüm bir ilerleme Samsung ve bu hızlarda uçmamıza izin verecek dosyaları çevirmek, 8K videoları oynatmak ve daha fazlası için çok hızlı
