Samsung sapo njoftoi fillimin e prodhimi masiv i njësive të magazinimit eUFS 512 GB me teknologji 3.1 dhe që do të përdorë në fundin e saj të ri të lartë që do të lançojë nga sot.
Në këtë mënyrë, kompania koreane do të jetë në gjendje të ofrojë shpejtësi shkrimi tre herë më të shpejta krahasuar me 512 GB eUFS 3.0 të mëparshme dhe atë me të thyen shifrën e performancës 1 GB / s në ruajtje nga një smartphone.
Siç komenton Cheol Choi, Nënkryetari Ekzekutiv i Shitjes së Kujtesës dhe Marketingu në Samsung Electronics, marka prezanton teknologji të përparuar të ruajtjes që u mundëson përdoruesve të shmangni ato ngushtica ata përballen me karta standarde të kujtesës.
Kjo teknologji ofron Shpejtësitë e shkrimeve vijuese 1.200 MB / s, e cila çon në dyfishimin e shpejtësisë së teknologjisë SATA që shihet në PC me 540MB / s dhe deri në 10 herë shpejtësinë e një karte UHS-I me 90MB / s.
Këto shpejtësi i ofrojnë përdoruesit të gëzojë një shpejtësi të madhe të shkrimit dhe të jetë në gjendje të lëvizë skedarë video 8K ose lëvizni një bandë skedarësh me imazhe dhe video në telefonat tuaj menjëherë. Ne flasim që celularët e rinj me këtë teknologji 3.1 do të duhet 1,5 minuta për të lëvizur 100 GB të dhëna kur me teknologjinë e mëparshme me UFS 3.0 kërkojnë më shumë se 4 minuta.
Kjo teknologji gjithashtu shkëlqen në performancën e rastësishme, proceset eUFS 512GB 3.1 deri në 60% më shpejt se versioni 3.0, të sigurojë deri në 100.000 operacione I / O për sekondë për lexime dhe 70.000 IOPS për shkrime.
Përveç modelit 512 GB, Samsung gjithashtu ka kapacitete prej 128 dhe 256 GB për fundin e saj të lartë që do të nisë më vonë; dhe këtu përfshini që do të ishte Shënimi 20 që do të gëzonte këto shpejtësi.
Të gjitha një paradhënie nga ana e Samsung dhe çfarë do të na bëjë të mundur që të fluturojmë me ato shpejtësi flakëron shpejt për të rrokullisur skedarët, për të luajtur video 8K dhe më shumë
