În cele din urmă avem noul și atotputernicul chip Qualcomm care va încerca să îmbunătățească ceea ce s-a văzut în 810, care, deși avea performanțe superioare, problemele sale de supraîncălzire au ajuns la el, determinând chiar și Samsung însuși să elimine acest cip din noul său Galaxy S6 pentru a-l schimba cu unul de fabricație proprie, cum ar fi Exynos.
După mai multe zvonuri și teasere despre cele care ne fac dinți foarte lungi, Qualcomm tocmai a anunțat oficial noul chip Snapdragon 820, noul său flagship ca procesor pentru dispozitive mobile. Un Snapdragon 820 SoC care include un nou CPU Kyro care va avea de două ori performanța și eficiența Snapdragon 810. Kyro-ul quad-core este fabricat pe un procesor FinFET de 14nm și poate fi configurat la o viteză de ceas de până la 2.2 GHz. în noul Samsung Galaxy S7 pe care a planificat să îl lanseze în ianuarie 2016.
Dublarea performanței modelului 810
Această veste despre noul Qualcomm Snapdragon 820 este de mare importanță pentru dezvoltare dintre noile telefoane mobile care vor sosi anul viitor și care vor încerca să nu fie un cartof fierbinte cum a fost HTC One M9 cu prima versiune a lui 810, care avea o supraîncălzire care nu era nici normală, nici acceptabilă. Din fericire, Qualcomm a lansat o revizuire care a sosit în noul Ei folosesc bine acel procesor.
Qualcomm, cu această știre a anunțului său, ne încurajează, de asemenea, să cunoaștem GPU-ul Snapdragon 820, care este tocmai Adreno 520, pe care ar trebui să îl ofere 40 la sută îmbunătățire în ceea ce privește performanța grafică, capacitățile de calcul și consumul de energie în comparație cu GPU-ul Adreno 430 inclus în Snapdragon 810.
Acest cip include și un cip LTE X12 care acceptă Viteze de descărcare de 600 Mbps și încărcați viteze de până la 150 Mbps împreună cu LTE-U, 4 × 4 MIMO și VoLTE și care utilizează platforma Zeroth pentru a analiza calitatea Wi-Fi pentru a determina când să treceți de la un apel LTE la un apel Wi-Fi. - Fi și zboară la ea.
Cu Quick Charge 3.0
Acest nou cip conține o caracteristică foarte remarcabilă și este Suport Quick Charge 3.0, cea mai recentă versiune a tehnologiei de încărcare rapidă Qualcomm. Când este utilizat cu un încărcător adecvat, un dispozitiv echipat cu Quick Charge 3.0 poate încărca un dispozitiv de la 0 la 80% în doar 35 de minute.
Primele smartphone-uri care ajung cu Snapdragon 820 sunt așteptate să înceapă să fie distribuite în prima jumătate a anului 2016. Ce da, va trebui să așteptăm să testăm acest nou cip într-un terminal nou, deoarece, deocamdată, conform celor spuse de Qualcomm în anunț, totul sună foarte bine și impresionant. Știam deja cum modelul 810 a fost una dintre problemele serioase pentru dezvoltarea smartphone-urilor mai bune anul trecut, deoarece unele au trebuit să fie „plafonate” din software, astfel încât să nu se încălzească atât de mult.
Ceea ce putem spera este că jumătate din noul Galaxy S7 Samsung va ajunge cu acest nou cip Snapdragon 820, în timp ce cealaltă jumătate dintre aceștia vor folosi Exynos 8890. Inginerii Samsung ajută deja la producerea noului cip în 14nm, astfel încât totul să fie perfect pentru noul Galaxy S7, care pare următorul maro al Android bestie, așa cum am învățat din capacitățile sale din cameră și ce ar îmbunătăți tot ce se vede în marele Galaxy S6.
Să trecem în revistă caracteristicile cipului Snapdragon 820 înainte de plecare:
- Modem X12 LTE (LTE Cat-12 în aval și LTE Cat-13 în amonte)
- GPU Adreno 530 (cu 40% mai rapid decât Adreno 430) cu Epic Games Unreal Engine 4
- Nucleuri procesor Kyro personalizate pe 64 de biți și fabricare internă
- Procesor de semnal digital Hexagon 680
- ISP Qualcom Spectra pe 14 biți pentru a îmbunătăți imaginile și pentru a activa camerele duale
- Caracteristici unice ale platformei Qualcomm Zeroth
- Qualcomm Snapdragon Smart Protect pentru a detecta găurile de securitate
Așadar, nu putem decât să așteptăm să vedem primele repere și modul în care acele 810 probleme de supraîncălzire s-au evaporat în acest nou 820 care va oferi tot potențialul dispozitivelor Android de ultimă generație pentru acest an 2016 care este deja pe noi.