Samsung tocmai a anunțat începutul programului producția în masă a unităților de stocare eUFS 512 GB cu tehnologie 3.1 și pe care îl va folosi în noul său high-end pe care îl va lansa de astăzi.
În acest fel, compania coreeană va putea oferi viteze de scriere de trei ori mai mari comparativ cu precedentul eUFS 512 de 3.0 GB și cu acesta sparge cifra de performanță de 1 GB / s stocate de pe un smartphone.
După cum comentează Cheol Choi, vicepreședinte executiv de vânzări de memorie și marketing la Samsung Electronics, marca introduce o tehnologie avansată de stocare care permite utilizatorilor să evita acele blocaje se confruntă cu carduri de memorie standard.
Această tehnologie oferă Viteze de scriere secvențiale de 1.200 MB / s, ceea ce duce la dublarea vitezei tehnologiei SATA văzută în PC-uri cu 540 MB / s și de până la 10 ori viteza unui card UHS-I cu 90 MB / s.
Aceste viteze oferă utilizatorului să se bucure de o viteză mare de scriere și să puteți muta fișiere video de 8K sau mutați o grămadă de fișiere imagine și video pe telefoanele dvs. simultan. Vorbim că noile telefoane mobile cu această tehnologie 3.1 vor avea nevoie de 1,5 minute pentru a muta 100 GB de date atunci când cu tehnologia anterioară cu UFS 3.0 necesită mai mult de 4 minute.
Această tehnologie excelează și în performanțe aleatorii, procesând până la eUFS 512GB 3.1 Cu 60% mai rapid decât versiunea 3.0, pentru a furniza până la 100.000 de operații I / O pe secundă pentru citiri și 70.000 IOPS pentru scrieri.
În afară de modelul de 512 GB, Samsung are, de asemenea, capacități de 128 și 256 GB pentru high-end-ul său, care va fi lansat mai târziu; și aici includeți că ar fi Nota 20 care s-ar bucura de aceste viteze.
Toate un avans din partea Samsung și că ne va permite să zburăm cu aceste viteze rapid pentru a întoarce fișiere, pentru a reda videoclipuri de 8K și multe altele
