Visbeidzot, mums ir jauna un jaudīga Qualcomm mikroshēma mēģinās uzlabot 810. gadā redzēto, kam, lai gan tam bija izcila veiktspēja, tā pārkaršanas problēmas to pārvarēja, liekot pat pašam Samsung noņemt šo mikroshēmu savā pavisam jaunajā Galaxy S6, lai nomainītu to pret kādu no sava ražojuma, piemēram, Exynos.
Pēc vairākām baumām un teaseriem par tiem, kas mums padara ļoti garus zobus, Qualcomm tikko oficiāli paziņoja par jauno Snapdragon 820 mikroshēmu, savu jauno flagmani kā mobilo ierīču procesoru. Snapdragon 820 SoC, kas ietver jaunu Kyro procesoru divreiz lielāks sniegums un Snapdragon 810 efektivitāte. Četru kodolu Kyro ir izgatavots uz 14 nm FinFET procesora, un to var konfigurēt ar pulksteņa ātrumu līdz 2.2 GHz. Diezgan brūns zvērs nākamajam gadam un ko mēs redzēsim, iespējams, jaunajā Samsung Galaxy S7, kuru plānots laist klajā 2016. gada janvārī.
Divkāršojot 810 veiktspēju
Šīs ziņas par jauno Qualcomm Snapdragon 820 ir ir ļoti svarīga attīstībai no jaunajiem mobilajiem tālruņiem, kas ieradīsies nākamgad, un kas centīsies nebūt karsts kartupelis, kāds bija HTC One M9 ar pirmo 810 versiju, kurā bija pārkaršana, kas nebija ne normāla, ne pieņemama. Par laimi, Qualcomm uzsāka pārskatīšanu, kas ir ieradusies jaunajā. Viņi labi izmanto šo centrālo procesoru.
Qualcomm ar šo paziņojuma ziņu mudina mūs iepazīt arī Snapdragon 820 GPU, kas ir tieši Adreno 520, ko tai vajadzētu piedāvāt 40 procentu uzlabojums grafikas veiktspējas, skaitļošanas iespēju un enerģijas patēriņa ziņā salīdzinājumā ar Adreno 430 GPU, kas iekļauts Snapdragon 810.
Šajā mikroshēmā ietilpst arī LTE X12 mikroshēma, kas atbalsta 600 Mbps lejupielādes ātrums un augšupielādes ātrums līdz 150 Mb / s kopā ar LTE-U, 4 × 4 MIMO un VoLTE, kas izmanto Zeroth platformu, lai analizētu Wi-Fi kvalitāti, lai noteiktu, kad jāpārslēdzas no LTE zvana uz Wi-Fi zvanu. - Fi un lido pie viņas.
Ar Quick Charge 3.0
Šī jaunā mikroshēma satur ļoti ievērojamu iezīmi, un tā ir Quick Charge 3.0 atbalsts, Qualcomm ātrās uzlādes tehnoloģijas jaunākā versija. Lietojot ar atbilstošu lādētāju, ar ātru uzlādi 3.0 aprīkota ierīce var uzlādēt ierīci no 0 līdz 80 procentiem tikai 35 minūtēs.
Paredzams, ka sāksies pirmie viedtālruņi, kas ieradīsies ar Snapdragon 820 tiks izplatīti 2016. gada pirmajā pusē. Jā, mums būs jāgaida, lai pārbaudītu šo jauno mikroshēmu jaunā terminālī, jo pagaidām saskaņā ar Qualcomm paziņojumā teikto viss izklausās ļoti labi un iespaidīgi. Mēs jau zinājām, kā pagājušajā gadā 810 bija viena no nopietnām problēmām labāku viedtālruņu izstrādē, jo dažus no programmatūras nācās “aizvērt”, lai tie nekļūtu tik karsti.
Uz ko mēs varam cerēt, tas ir puse jaunā Galaxy S7 Samsung ieradīsies ar šo jauno Snapdragon 820 mikroshēmu, bet otra puse no tiem izmantos Exynos 8890. Samsung inženieri jau palīdz izgatavot jauno mikroshēmu 14 nm, lai viss būtu ideāli piemērots jaunajam Galaxy S7, kas šķiet nākamais brūnais. Android zvērs, jo mēs esam varējuši uzzināt par tā iespējām kamerā un to, kas būtu, lai uzlabotu visu, kas redzams lieliskajā Galaxy S6.
Pārskatīsim mikroshēmas funkcijas Snapdragon 820 pirms došanās ceļā:
- X12 LTE modems (LTE Cat-12 lejpus un LTE Cat-13 augšpusē)
- Adreno 530 GPU (par 40% ātrāk nekā Adreno 430) ar Epic Games Unreal Engine 4
- Pielāgoti 64 bitu Kyro procesora kodoli iekšpusē
- Hexagon 680 digitālais signāla procesors
- 14 bitu Qualcom Spectra ISP, lai uzlabotu attēlus un iespējotu divas kameras
- Qualcomm Zeroth platformas unikālās iezīmes
- Qualcomm Snapdragon Smart Protect, lai atklātu drošības caurumus
Tāpēc mēs varam tikai gaidīt, lai redzētu pirmos kritērijus un to, kā šīs 810 pārkaršanas problēmas ir iztvaikojuši šajā jaunajā 820 tas dos visu iespēju augstas klases Android ierīcēm šim 2016. gadam, kas jau ir mūsu rīcībā.