למרות ש- Snapdragon 835 של קוואלקום הוא עדיין השבב החזק ביותר של הרגע שמשולב בספינות הדגל של כמעט כל יצרני הסלולר, מספר דיווחים מצביעים על כך שהדגם הבא במגוון המעבדים היוקרתיים של קוואלקום כבר נמצא בפיתוח. בהתבסס על פרטים אלה, ה- SoC ייקרא Snapdragon 845 והוא ייבנה על בסיס תהליך של 7 ננומטר,
ככל הנראה, TSMC החלה בפיתוח תהליך 7nm באפריל האחרון ונמצאת כעת בשלב ייצור המבחנים, במקביל לכך שגם ה- Snapdragon 845 נמצא בפיתוח מלא וההשקה שלו מתוכננת. עד תחילת 2018בדיוק בזמן ל לראשונה עם סמסונג גלקסי S9, בדיוק כמו שעושה לוע הארי 835 השנה עם ה- Galaxy S8.
כמובן שקוואלקום לא תהיה היחידה שתשתמש בתהליך 7nm עבור השבב שלה, שכן יצרניות אחרות כמו Huawei, NVIDIA ו- MediaTek, בין היתר, מתכננות לפנות לטכנולוגיית 7nm עבור המעבדים שלהן.
על פי הפרטים הראשונים, מעבדים שיוצרו בתהליך 7nm חדש זה יתנסו שיפור ביצועים בין 25 ל -35 אחוזים בהשוואה ל התהליך הנוכחי 10 ננומטר אשר שימש במהלך ייצור ה- Snapdragon 835.
בנוסף, מאמינים כי השבבים יוכלו לחוות שיפור ביצועים זה מבלי שיהיה בהכרח גדול יותר, אלא להפך, מה שעלול להוביל להגעתם של חלק אפילו סמארטפונים דקים יותר.
הדו"ח החדש מגיע זמן קצר לאחר דליפה נוספת בחודש שעבר, כאשר בתחילה נודע כי פיתוח ה- Snapdragon 845 החל וכי ישמש אותו לראשונה בגלקסי S9, ולכן החידוש החשוב ביותר במקרה זה הוא שימוש בתהליך 7nm.
מקור: GizChina