לבסוף יש לנו את השבב החדש והכל יכול של קוואלקום ינסה לשפר את מה שנראה בשנת 810, שלמרות שהיו לו ביצועים מעולים, בעיות התחממות היתר שלו השתפרו, וגרמו אפילו לסמסונג עצמה להסיר את השבב הזה ב-Galaxy S6 החדש שלה כדי לשנות אותו לייצור אחד משלה כמו ה-Exynos שלה.
לאחר מספר שמועות וטיזרים על אלה שגורמים לנו לשיניים ארוכות מאוד, קוואלקום הכריזה רק רשמית על שבב ה- Snapdragon 820 החדש, ספינת הדגל החדשה שלו כמעבד למכשירים ניידים. לוע הארי 820 SoC הכולל מעבד Kyro חדש שיהיה הביצועים פעמיים והיעילות של לוע הארי 810. Kyro מרובע הליבות מיוצר על מעבד FinFET 14nm וניתן להגדיר אותו במהירות שעון של עד 2.2 ג'יגה הרץ. חיה די חומה לשנה הבאה ושנראה כלולים, אולי, ב- Samsung Galaxy S7 החדשה שתכננה להשיק בינואר 2016.
הכפלת הביצועים של ה- 810
החדשות האלה על קוואלקום Snapdragon 820 החדשה, הן בעל חשיבות רבה להתפתחות מהטלפונים הניידים החדשים שיגיעו בשנה הבאה, ושינסו לא להיות תפוח אדמה לוהט כמו שה-HTC One M9 היה עם הגרסה הראשונה של ה-810, שהיה לה התחממות יתר שלא הייתה רגילה וגם לא מקובלת. למרבה המזל, קוואלקום השיקה גרסה שהגיעה לגרסה החדשה. הם משתמשים במעבד הזה היטב.
קוואלקום, עם הידיעה הזו על הכרזתה, גם מעודדת אותנו להכיר את ה- GPU של ה- Snapdragon 820 שהוא בדיוק ה- Adreno 520, שהוא אמור להציע. שיפור של 40 אחוז מבחינת ביצועי גרפיקה, יכולות מחשוב ושימוש בחשמל בהשוואה ל- GPU של אדרנו 430 הכלול ב- Snapdragon 810.
שבב זה כולל גם שבב LTE X12 התומך מהירויות הורדה של 600 Mbps ולהעלות מהירויות של עד 150 Mbps יחד עם LTE-U, 4 × 4 MIMO ו- VoLTE, ואשר משתמשת בפלטפורמת Zeroth לניתוח איכות ה- Wi-Fi כדי לקבוע מתי לעבור משיחת LTE לשיחת Wi-Fi. - פי ועוף אליה.
עם טעינה מהירה 3.0
השבב החדש הזה מכיל תכונה יוצאת מהכלל וזהו תמיכה בטעינה מהירה 3.0, הגרסה האחרונה של טכנולוגיית הטעינה המהירה של קוואלקום. כאשר משתמשים בו עם מטען מתאים, מכשיר מצויד Quick Charge 3.0 יכול לטעון מכשיר בין 0 ל -80 אחוז בתוך פחות מ -35 דקות.
הטלפונים החכמים הראשונים שהגיעו עם Snapdragon 820 צפויים להתחיל יופץ במחצית הראשונה של 2016. מה שכן, נצטרך לחכות לבדיקת השבב החדש הזה במסוף חדש, שכן לפי שעה, לפי מה שקוואלקום אמר בהודעתו, הכל נשמע טוב ומרשים מאוד. ידענו כבר כיצד 810 היא אחת הבעיות החמורות בפיתוח סמארטפונים טובים יותר בשנה שעברה, מכיוון שחלקם נאלצו "לכסות" את התוכנה כדי שלא יתחממו כל כך.
מה שאנחנו יכולים לקוות לו זה מחצית מהגלקסי S7 החדשה סמסונג תגיע עם השבב החדש של Snapdragon 820, בעוד שהמחצית השנייה שלהן תשתמש ב- Exynos 8890. מהנדסי סמסונג כבר עוזרים לייצר את השבב החדש ב 14 ננומטר כך שהכל יהיה מושלם לאותו גלקסי S7 החדש, שנראה כחום הבא החיה של אנדרואיד, כפי שהצלחנו לדעת על אפשרויותיה במצלמה ומה יהיה זה לשפר את כל מה שנראה בגלקסי S6 הנהדר.
בואו נסקור את תכונות שבב לוע הארי 820 לפני היציאה:
- מודם X12 LTE (LTE Cat-12 במורד הזרם ו- LTE Cat-13 במעלה הזרם)
- Adreno 530 GPU (40% מהיר יותר מ- Adreno 430) עם Epic Games Unreal Engine 4
- ליבות מעבד Kyro 64 סיביות בהתאמה אישית וייצור פנימי
- מעבד אותות דיגיטלי משושה 680
- ספק שירותי ה- Qualcom Spectra 14 סיביות לשיפור תמונות ולאפשר מצלמות כפולות
- תכונות ייחודיות של פלטפורמת זות 'של קוואלקום
- Qualcomm Snapdragon Smart Protect לאיתור חורי אבטחה
אז אנחנו יכולים רק לחכות לראות את המדדים הראשונים וכיצד הבעיות של 810 התחממות יתר התאדו ב- 820 החדש הזה זה ייתן את כל הפוטנציאל למכשירי אנדרואיד מתקדמים לשנת 2016 שכבר בפתח.