Mungkin terlalu dini untuk membicarakan generasi masa depan dari jajaran Galaxy S, namun kami telah melihat bocoran tentang terminal Korea di masa depan selama dua hari. Jika beberapa hari yang lalu, kami melihat bagaimana tes kinerja Galaxy S7 di bawah Snapdragon 820, sekarang kami melihat sesuatu yang berbeda.
Kali ini, perangkat yang telah lolos uji kinerja Geekbench ini bukanlah SoC yang diproduksi oleh Qualcomm, melainkan prosesor yang diproduksi oleh Samsung sendiri dan, prosesor ini adalah Exynos 8890.
Galaxy S7 atau yang sekarang dikenal sebagai Project Lucky akan lahir pada kuartal pertama tahun 2016, jadi dari sini hingga hari presentasinya kami tidak akan berhenti melihat bocoran dan rumor tentang flagship berikutnya dari perusahaan Korea tersebut.
Berkat benchmark Geekbench, kami telah memperhatikan bahwa Samsung sedang menguji berbagai prototipe di bawah perangkat keras yang berbeda. Pertama-tama, tes kinerja bocor beberapa hari yang lalu di mana terminal berjalan di bawah Snapdragon 820. Sekarang kita melihat bagaimana perangkat yang telah melewati benchmark berjalan di bawah sebuah chip Exynos 8890 dan bahwa, selain SoC yang berbeda sehubungan dengan kebocoran pertama, varian yang berbeda juga muncul bergantung pada memori RAM mereka.
Seperti yang Anda lihat di gambar, ada data pada versi Memori RAM 3 GB serta versinya 4 GB. Kami tidak tahu apakah Samsung akan bertaruh pada dua model berbeda atau sedang menguji bagaimana Galaxy S7 masa depan bergerak di bawah konfigurasi perangkat keras yang berbeda. Di antara spesifikasi lainnya, kami melihat bagaimana Samsung akan melengkapi flagship berikutnya di bawah a Kamera 20 Megapiksel dengan sensor fotografi baru dan dengan kemungkinan memperluas penyimpanan terminal di bawah slot micro-SD.
