Samsung teatas äsja eUFS-i mäluseadmete masstoodang 512 GB 3.1-tehnoloogiaga ja seda kasutatakse uues tipptasemel, mida see tänasest turule toob.
Nii saab Korea ettevõte pakkuda kirjutamiskiirust kolm korda kiiremini kui eelmine 512 GB eUFS 3.0 ja sellega koos murrab 1GB / s jõudlusnäitaja nutitelefonist salvestusruumis.
Nagu kommenteerib Samsung Electronics'i mälumüügi ja turunduse asepresident Cheol Choi, tutvustab kaubamärk täiustatud salvestustehnoloogiat, mis võimaldab kasutajatel vältida neid kitsaskohti nad seisavad silmitsi tavaliste mälukaartidega.
See tehnoloogia pakub 1.200 XNUMX MB / s järjestikune kirjutamiskiirus, mis viib arvutites nähtud SATA-tehnoloogia kiiruse kahekordistumiseni selle 540MB / s ja kuni 10-kordse UHS-I kaardi kiiruse 90MB / s.
Need kiirused pakuvad kasutajale suurepärast kirjutamiskiirust ja olema võimeline teisaldama 8K videofaile või teisaldage telefonides korraga hulk pildi- ja videofaile. Me räägime, et selle 3.1-tehnoloogiaga uutel mobiiltelefonidel on 1,5 GB andmete teisaldamiseks vaja 100 minutit, kui eelmise UFS 3.0-ga tehnoloogia puhul vajavad need rohkem kui 4 minutit.
See tehnoloogia paistab silma ka juhusliku jõudlusega, eUFS 512GB 3.1 töötleb kuni 60% kiiremini kui versioon 3.0, et lugeda kuni 100.000 70.000 I / O toimingut sekundis lugemiste ja XNUMX XNUMX IOPS kirjutamise jaoks.
Peale 512 GB mudeli Samsungi maht on ka 128 ja 256 GB hiljem käivitatava tipptaseme eest; ja siia lisage, et just Note 20 naudiks neid kiirusi.
Kõik avansid Samsung ja et see võimaldab meil selle kiirusega lennata kiiresti lõõmav failide klappimine, 8K videote esitamine ja palju muud
