Ίσως είναι πολύ νωρίς για να μιλήσουμε για τη μελλοντική γενιά της σειράς Galaxy S, αλλά παρόλα αυτά βλέπουμε διαρροές για το μελλοντικό τερματικό της Κορέας εδώ και δύο ημέρες. Αν πριν από μερικές μέρες, είδαμε πώς ένα τεστ απόδοσης του Galaxy S7 με Snapdragon 820Τώρα βλέπουμε κάτι διαφορετικό.
Αυτή τη φορά, η συσκευή που πέρασε από αυτό το τεστ απόδοσης Geekbench δεν ήταν ένα SoC κατασκευασμένο από την Qualcomm, αλλά ένας επεξεργαστής που κατασκευάστηκε από την ίδια τη Samsung και αυτός ο επεξεργαστής είναι ο Exynos 8890.
Το Galaxy S7 ή πλέον γνωστό ως Project Lucky θα κυκλοφορήσει μέσα στο πρώτο τρίμηνο του 2016, οπότε από εδώ και μέχρι να φτάσει η ημέρα της παρουσίασής του, δεν θα σταματήσουμε να βλέπουμε διαρροές και φήμες για την επόμενη ναυαρχίδα της κορεατικής εταιρείας.
Χάρη σε ένα σημείο αναφοράς Geekbench, παρατηρήσαμε ότι η Samsung δοκιμάζει πολλά πρωτότυπα σε διαφορετικό υλικό. Αρχικά, πριν από μερικές ημέρες διέρρευσε μια δοκιμή απόδοσης όπου το τερματικό λειτουργούσε κάτω από ένα Snapdragon 820. Τώρα βλέπουμε πώς η συσκευή που έχει περάσει το σημείο αναφοράς τρέχει κάτω από ένα τσιπ Exynos 8890 και ότι, εκτός από το διαφορετικό SoC σε σύγκριση με τις πρώτες διαρροές, εμφανίζονται και διαφορετικές παραλλαγές ανάλογα με τη μνήμη RAM τους.
Όπως μπορείτε να δείτε στις εικόνες, υπάρχουν δεδομένα για την έκδοση του Μνήμη RAM 3 GB καθώς και η έκδοση 4 GB. Δεν γνωρίζουμε αν η Samsung θα στοιχηματίσει σε δύο διαφορετικά μοντέλα ή δοκιμάζει πώς το μελλοντικό Galaxy S7 κινείται σε διαφορετικές διαμορφώσεις υλικού. Μεταξύ άλλων προδιαγραφών βλέπουμε πώς η Samsung θα εξόπλιζε την επόμενη ναυαρχίδα της υπό α Κάμερα 20 Megapixel με νέο φωτογραφικό αισθητήρα και με δυνατότητα επέκτασης της αποθήκευσης του τερματικού κάτω από την υποδοχή micro-SD.
