Konečně tu máme nový a všemohoucí čip Qualcomm se pokusí vylepšit to, co bylo vidět v roce 810, který, i když měl vynikající výkon, jeho problémy s přehříváním se zlepšily, což způsobilo, že dokonce i samotný Samsung odstranil tento čip ze svého zbrusu nového Galaxy S6 a vyměnil jej za čip vlastní výroby, jako je jeho Exynos.
Po několika pověstech a ukázkách těch, díky nimž máme velmi dlouhé zuby, společnost Qualcomm právě oficiálně oznámila nový čip Snapdragon 820, svou novou vlajkovou loď jako procesor pro mobilní zařízení. Snapdragon 820 SoC, který obsahuje nový procesor Kyro, který bude mít dvojnásobný výkon a účinnost Snapdragon 810. Čtyřjádrový procesor Kyro je vyroben na 14nm procesoru FinFET a lze jej nakonfigurovat na frekvenci až 2.2 GHz. Do příštího roku docela hnědá bestie a kterou uvidíme, možná, v novém Samsung Galaxy S7, který má v plánu uvést na leden 2016.
Zdvojnásobení výkonu modelu 810
Tato zpráva o novém Qualcomm Snapdragon 820 je má velký význam pro rozvoj z nových mobilních telefonů, které dorazí příští rok a které se budou snažit nebýt horkým bramborem jako HTC One M9 s první verzí 810, která měla přehřívání, které nebylo normální ani přijatelné. Naštěstí Qualcomm spustil revizi, která dorazila do nového. Používají ten CPU dobře.
Qualcomm s touto novinkou svého oznámení také povzbuzuje, abychom poznali GPU Snapdragon 820, což je přesně Adreno 520, který má nabídnout 40% zlepšení z hlediska grafického výkonu, výpočetních schopností a využití energie ve srovnání s grafickým procesorem Adreno 430, který je součástí Snapdragon 810.
Tento čip také obsahuje čip LTE X12, který podporuje Rychlost stahování 600 Mbps a rychlost nahrávání až 150 Mbps spolu s LTE-U, 4 × 4 MIMO a VoLTE a která využívá platformu Zeroth k analýze kvality Wi-Fi k určení, kdy přejít z hovoru LTE na volání Wi-Fi. - Fi a leť k ní.
S funkcí Quick Charge 3.0
Tento nový čip obsahuje velmi pozoruhodnou vlastnost a je to Podpora rychlého nabíjení 3.0, nejnovější verze technologie rychlého nabíjení Qualcomm. Při použití s příslušnou nabíječkou dokáže zařízení vybavené funkcí Quick Charge 3.0 nabít zařízení z 0 na 80 procent za pouhých 35 minut.
Očekává se, že začnou přicházet první smartphony se Snapdragon 820 budou distribuovány v první polovině roku 2016. Co ano, budeme si muset počkat, až otestujeme tento nový čip v novém terminálu, protože zatím, podle toho, co uvedl Qualcomm ve svém oznámení, vše zní velmi dobře a působivě. Již v loňském roce jsme věděli, jak je 810 jedním z vážných problémů při vývoji lepších smartphonů, protože některé musely být „omezeny“ softwarem, aby se tak neohřály.
V co můžeme doufat je to polovina nového Galaxy S7 Samsung dorazí s tímto novým čipem Snapdragon 820, zatímco druhá polovina z nich bude používat Exynos 8890. Inženýři společnosti Samsung již pomáhají vyrábět nový čip za 14 nm, takže je vše perfektní pro nový Galaxy S7, který vypadá jako další hnědý zvíře Androidu, protože jsme mohli vědět o jeho možnostech ve fotoaparátu a o tom, jaké by to bylo vylepšit vše, co vidíme ve skvělé Galaxy S6.
Podívejme se na funkce čipu Snapdragon 820 před odjezdem:
- Modem X12 LTE (LTE Cat-12 downstream a LTE Cat-13 upstream)
- GPU Adreno 530 (o 40% rychlejší než Adreno 430) s Epic Games Unreal Engine 4
- Vlastní 64bitová jádra procesoru Kyro a vlastní výroba
- Procesor digitálního signálu Hexagon 680
- 14bitový poskytovatel Qualcom Spectra pro vylepšení obrazu a povolení duálních kamer
- Unikátní vlastnosti platformy Qualcomm Zeroth
- Qualcomm Snapdragon Smart Protect pro detekci bezpečnostních děr
Můžeme tedy jen počkat, až uvidíme první měřítka a jak tyto problémy s přehřátím 810 se odpařily v této nové 820 které poskytnou veškerý potenciál špičkovým zařízením Android pro letošní rok 2016, který je již na nás.