Potser és aviat per parlar de la futura generació de la gamma Galaxy S, però no obstant això portem dos dies veient filtracions sobre el futur terminal coreà. Si fa un parell de dies, vèiem com es filtrava una prova de rendiment de l' Galaxy S7 sota un Snapdragon 820, Ara veiem alguna cosa diferent.
Aquest cop, el dispositiu que ha passat per aquesta prova de rendiment de Geekbench, no ha estat un SoC fabricat per Qualcomm, sinó que es tracta d'un processador fabricat per la pròpia Samsung i, aquest processador és el Exynos 8890.
El Galaxy S7 o ara conegut com Project Lucky veurà a llum durant el primer trimestre dle 2016, així que d'aquí fins que arribi el dia per la seva presentació no pararem de veure filtracions i rumors sobre el proper vaixell insígnia de la companyia coreana.
Gràcies a un benchmark de Geekbench, ens hem adonat que Samsung està provant diversos prototips sota diferent maquinari. Per començar, fa un parell de dies es va filtrar una prova de rendiment on el terminal corria sota un Snapdragon 820. Ara veiem com el dispositiu que ha passat pel benchmark corre sota un xip Exynos 8890 i que, a més d'aquest diferent SoC pel que fa a la primeres filtracions, també apareixen diferents variants depenent de la seva memòria de RAM.
Com podeu veure en les imatges, hi ha dades de la versió de 3 GB de memòria de RAM així com de la versió 4 GB. No sabem si Samsung apostarà per dos models diferents o està provant que tal es mou el futur Galaxy S7 sota diferents configuracions de maquinari. Entre altres especificacions veiem com Samsung equiparia seu pròxim vaixell insígnia sota una càmera de 20 Megapíxeles amb un nou sensor fotogràfic i amb la possibilitat d'ampliar l'emmagatzematge de l'terminal sota ranura micro-SD.
