带有UFS 3.0存储的手机应注意三星的新记忆

内存

三星将竭尽所能,似乎我们将拥有Galaxy S10的那一年,将是这个备受赞誉的系列十周年,它将带来无处不在的新颖性。 现在,内存将收集非常重要的进展,以便您的下一个三星手机可以像以往一样飞翔。

而且是三星目前 建立新的LPDDR5存储器。 除了知道UFS 3.0技术还将在存储区域中使用之外。 换句话说,RAM和存储都将得到显着改善,从而将韩国品牌提升到另一个层次。

三星是一家除了销售出色的智能手机之外, 从回忆中收集大量金钱 和屏幕。 我们已经知道它有什么 幕后幕后,例如会在Galaxy Note 10中使用的石墨烯电池,这将使我们能够为手机充电 大约是正常人的5倍.

Samsung

但是,现在让我们担心的是那些具有LPDDR5和更高版本的RAM的新存储器。 使用UFS 3.0进行存储。 高通公司已经宣布了有关5G的盛会,在那里它有时间展示其下一代芯片集中在RAM和内部存储中。

一方面,我们拥有UFS 3.0存储。 得到 是UFS 2.1的两倍 速度为2.666 MB / s,并将在其下一个高端设备的128、256和512GB版本中可用; 包括Galaxy S10

在RAM中 面向5年的LPDDR2020存储器 并且除了将性能提高到44和51,2 GB / s之外,它们还将是高效的。 我说过,第十代Galaxy S系列的2019年将变得非常有趣,它将带来来自各个方面的消息。


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