带有UFS 3.0存储的手机应注意三星的新记忆

三星将竭尽所能，似乎我们将拥有Galaxy S10的那一年，将是这个备受赞誉的系列十周年，它将带来无处不在的新颖性。 现在，内存将收集非常重要的进展，以便您的下一个三星手机可以像以往一样飞翔。

而且是三星目前 建立新的LPDDR5存储器。 除了知道UFS 3.0技术还将在存储区域中使用之外。 换句话说，RAM和存储都将得到显着改善，从而将韩国品牌提升到另一个层次。

三星是一家除了销售出色的智能手机之外， 从回忆中收集大量金钱 和屏幕。 我们已经知道它有什么 幕后幕后，例如会在Galaxy Note 10中使用的石墨烯电池，这将使我们能够为手机充电 大约是正常人的5倍.

但是，现在让我们担心的是那些具有LPDDR5和更高版本的RAM的新存储器。 使用UFS 3.0进行存储。 高通公司已经宣布了有关5G的盛会，在那里它有时间展示其下一代芯片集中在RAM和内部存储中。

一方面，我们拥有UFS 3.0存储。 得到 是UFS 2.1的两倍 速度为2.666 MB / s，并将在其下一个高端设备的128、256和512GB版本中可用； 包括Galaxy S10

在RAM中 面向5年的LPDDR2020存储器 并且除了将性能提高到44和51,2 GB / s之外，它们还将是高效的。 我说过，第十代Galaxy S系列的2019年将变得非常有趣，它将带来来自各个方面的消息。