三星宣布推出基于835nm的高通Snapdragon 10芯片

在过去的这些年里，我们经历了 高通的高端芯片 以 810 和 820 作为前两年最佳智能手机的基准。 骁龙 820 以强大的图形性能出现，因此 821 定义了它的一些特性，例如它的能源效率或计算处理的潜力。

今天是高通发布骁龙 835 的时候， 新旗舰芯片 来自该处理器制造商。 该公司已与三星合作开发基于 10 纳米 FinFET 架构的新芯片，并于去年 XNUMX 月进入全面生产阶段。

三星的新型 10 纳米 FinFET 处理器可实现高达 效率提高 30% 与之前的版本相比，性能提高了 27%，能耗降低了 40%。 那些更好的处理与更先进的芯片设计相结合，可以显着提高电池性能。

Qualcomm Technologies 高级副总裁 Keith Kressin 有几句话：

我们很高兴继续 与三星合作 开发引领移动行业的产品。 通过使用新的 10nm 节点，预计它将使我们能够为我们的 Snapdragon 835 处理器提供更高的能效和更高的性能，同时它将允许我们添加许多可以改善用户体验的新功能移动设备。明天。

骁龙 835 随附 快速充电4.0，它支持比最新的高通技术快 20% 的充电速度。 这款 SoC 已经量产，预计将开始应用于 2017 年上半年开始推出的移动设备。这款芯片紧随骁龙 820 和 821 (在新的 OnePlus 3T 上看到) 目前有 200 种设计正在开发中。