三星宣布1TB eUFS 2.1存储容量

三星UFS 2.1 1TB

尽管此后已确认东芝已开始测试UFS 3.0芯片, 看起来三星仍计划在转换之前使用UFS 2.1更长的时间。 这家韩国电子巨头今天宣布了其最大的机载UFS存储容量,仅此而已,而且容量不低于1TB。

该公告是在发布该广告的几周前发布的 Galaxy S10系列,据报道 将于明年20月XNUMX日到达 在MWC 2019之前发布,并且其最先进的版本附带 12 GB的RAM和1 TB的内部存储空间,与该公司现在发布的新报告非常吻合。

集成了2.1TB UFS 1芯片,因此实际上是“ eUFS”。 与2.1GB eUFS 512相比,这是单芯片设计,并且具有提高的读写速度。 芯片尺寸相同:尺寸为11,5 x 13mm,具有16层第五代512GB V-NAND闪存。

三星UFS 2.1 1TB

1 TB的存储空间有一个 每秒1,000MB的顺序读取速度,顺序写入速度为260MB / s,随机读取速度为58,000 IOPS,随机写入速度为50,000 IOPS。 与其他版本的三星内存相比,这些都是速度上的显着提高。

chaobel表示,已经开始大规模生产,并且他还计划在512年上半年在平泽工厂扩大其2019GB第五代V-NAND存储器的生产,预计电话制造商对1TB eUFS芯片的存储需求强劲。今年。 这意味着我们将在今年看到一些1TB手机的发布,到今年年底可能还会更多。

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