Samsung acaba de anunciar el comienzo de la producción en masa de unidades de almacenamiento eUFS de 512GB con tecnología 3.1 y que utilizará en sus nuevos gama alta que vaya lanzando a partir del día de hoy.
De esta forma la compañía coreana va a ser capaz de ofrecer velocidades de escritura tres veces más rápida comparada a la anterior 512GB eUFS 3.0 y que con ello rompe la cifra de 1GB/s de rendimiento en almacenamiento desde un smartphone.
Tal como comenta Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Marketing y Ventas de Memoria de Samsung Electronics, la marca introduce una tecnología avanzada de almacenamiento que permite a los usuarios evitar esos cuellos de botella que encaran con las tarjetas de memoria estándar.
Esta tecnología ofrece velocidades de escritura secuencial de 1.200MB/s, lo que conlleva en doblar la velocidad de la tecnología SATA vista en los PCs con sus 540MB/s y hasta 10 veces la velocidad de una tarjeta UHS-I con sus 90MB/s.
Estas velocidades ofrecen al usuario poder disfrutar de una gran velocidad de escritura y poder mover archivos de vídeo 8K o mover un montón de archivos de imágenes y vídeos a la vez en sus teléfonos. Hablamos de que los nuevos móviles con esta tecnología 3.1 necesitarán 1,5 minutos para mover 100GB de datos cuando con la tecnología anterior con UFS 3.0 requieren más de 4 minutos.
Esta tecnología también destaca en el rendimiento aleatorio, eUFS 512GB 3.1 procesa hasta un 60% más rápido que la versión 3.0, para ofrecer hasta 100.000 operaciones de entrada/salida por segundo para lecturas de 70.000 IOPS para escrituras.
Aparte del modelo de 512GB, Samsung también tiene capacidades de 128 y 256GB para sus gama alta que serán lanzados posteriormente; y aquí incluir que sería el Note 20 el que disfrutaría de estas velocidades.
Todo un avance por parte de Samsung y que posibilitará que podamos volar con esas velocidades de vértigo para pasar archivos, reproducir vídeos 8K y más
