Quizás es pronto para hablar de la futura generación de la gama Galaxy S, pero sin embargo llevamos dos días viendo filtraciones sobre el futuro terminal coreano. Si hace un par de días, veíamos como se filtraba una prueba de rendimiento del Galaxy S7 bajo un Snapdragon 820, ahora vemos algo diferente.
Esta vez, el dispositivo que ha pasado por esta prueba de rendimiento de Geekbench, no ha sido un SoC fabricado por Qualcomm, sino que se trata de un procesador fabricado por la propia Samsung y, este procesador es el Exynos 8890.
El Galaxy S7 o ahora conocido como Project Lucky verá a luz durante el primer trimestre dle 2016, así que de aquí hasta que llegue el día para su presentación no pararemos de ver filtraciones y rumores sobre el próximo buque insignia de la compañía coreana.
Gracias a un benchmark de Geekbench, nos hemos dado cuenta de que Samsung está probando varios prototipos bajo diferente hardware. Para empezar, hace un par de días se filtró una prueba de rendimiento donde el terminal corría bajo un Snapdragon 820. Ahora vemos como el dispositivo que ha pasado por el benchmark corre bajo un chip Exynos 8890 y que, además de ese diferente SoC con respecto a la primeras filtraciones, también aparecen diferentes variantes dependiendo de su memoria de RAM.
Como podéis ver en las imágenes, hay datos de la versión de 3 GB de memoria de RAM así como de la versión 4 GB. No sabemos si Samsung apostará por dos modelos diferentes o está probando que tal se mueve el futuro Galaxy S7 bajo diferentes configuraciones de hardware. Entre otras especificaciones vemos como Samsung equiparía su próximo buque insignia bajo una cámara de 20 Megapíxeles con un nuevo sensor fotográfico y con la posibilidad de ampliar el almacenamiento del terminal bajo ranura micro-SD.
