Samsung annoncerede netop starten af masseproduktion af eUFS-lagerenheder 512 GB med 3.1-teknologi, og som den vil bruge i sin nye high-end, som den lanceres fra i dag.
På denne måde vil det koreanske firma kunne tilbyde skrivehastigheder tre gange hurtigere sammenlignet med den tidligere 512 GB eUFS 3.0 og det med det bryder 1GB / s ydeevne opbevares fra en smartphone.
Som Cheol Choi, Executive Vice President for Memory Sales and Marketing hos Samsung Electronics, kommenterer, introducerer brandet avanceret lagringsteknologi, der gør det muligt for brugere at undgå disse flaskehalse de står over for med standardhukommelseskort.
Denne teknologi tilbyder 1.200 MB / s sekventielle skrivehastigheder, hvilket fører til en fordobling af hastigheden på SATA-teknologi set på pc'er med dens 540 MB / s og op til 10 gange hastigheden på et UHS-I-kort med dets 90 MB / s.
Disse hastigheder giver brugeren mulighed for at nyde en stor hastighed ved skrivning og være i stand til at flytte 8K videofiler eller flyt en masse billed- og videofiler på dine telefoner på én gang. Vi taler om, at de nye mobiltelefoner med denne 3.1-teknologi har brug for 1,5 minutter for at flytte 100 GB data, når de med den tidligere teknologi med UFS 3.0 kræver mere end 4 minutter.
Denne teknologi udmærker sig også i tilfældig ydeevne, eUFS 512GB 3.1 processer op til 60% hurtigere end version 3.0, til at levere op til 100.000 I / O-operationer pr. sekund til læsning og 70.000 IOPS til skrivning.
Bortset fra 512 GB-modellen, Samsung har også kapacitet på 128 og 256 GB for sin high-end, der lanceres senere; og her inkluderer, at det ville være note 20, der ville nyde disse hastigheder.
Alt et forskud fra Samsung og at det giver os mulighed for at flyve med disse hastigheder lynhurtig for at vende filer, afspille 8K-videoer og mere
