La presentació del Samsung Galaxy S7 i Samsung Galaxy S7 Edge és a la cantonada. El proper 21 de febrer sabrem tots els detalls de la nova generació de vaixells insígnia del fabricant coreà.
Davant la imminent arribada de l' Mobile World Congress, La major fira de telefonia que se celebrarà a Barcelona de l'22 a l'25 de febrer, estem acostumats que es vagin filtrant detalls dels nous telèfons de Samsung. I ara un nou informe de AnTuTu ens mostra un detall molt interessant entre les dues versions de l'Samsung Galaxy S7.
El Samsung Galaxy S7 amb processador Qualcomm serà un 20% més potent que el model amb SoC Samsung Exynos 8890, segons les últimes dades de AnTuTu
Ja hem anat veient algun que altre informe del conegut lloc de benchmarks on podíem fer-nos una primera idea de la potència de la nova generació de vaixells insígnia de Samsung. Però ara, a través del seu perfil a la coneguda xarxa social Weibo, L'equip de AnTuTu ha revelat els benchmarks de l'Samsung Galaxy S7 en la seva versió Exynos.
Sembla que aquest model és la versió internacional ja que s'ha testejat a França. I segons han publicat, el Samsung Galaxy S7 model internacional arriba als 105.000 punts en AnTuTu. Una xifra senzillament impressionant i que demostra l'increïble potencial del pròxim vaixell insígnia de la companyia amb seu a Seül. Però el Samsung Galaxy S7 amb processador Qualcomm Snapdragon 820 és més potent.
I és que en el seu moment es va publicar uns suposats benchmarks de AnTuTu referents a la versió de la operadora AT & T de l'Samsung Galaxy S7 Edge, Amb número de sèrie SM-G935A.Este telèfon és exactament igual tècnicament si ho comparem amb el Samsung Galaxy S7 convencional, a excepció de la pantalla que és lleugerament més gran a el passar de 5.1 polzades a les 5.5 polzades.
Tot i tenir la pantalla més gran, el Samsung Galaxy S7 Edge amb processador Qualcomm Snapdragon 820 arriba a una puntuació notablement superior a la de el model Exynos: 125.288 punts. Una diferència de més de 20.000 punts respecte a el model que integra la solució de Samsung, que es va quedar en els 105.000.
Segons sembla, la gran diferència rau en la puntuació atorgada per la GPU. I és que el processador Qualcomm Snapdragon 820 integra una processadora de gràfics Adreno 530, Una bèstia que farà les delícies dels jugadors més hardcore. Recordem que el processador Exynos 8890 compta amb una GPU Mali - T880MP12 que, si bé és cert que és una processadora gràfica amb més de dotze nuclis, l'arquitectura ARM genèrica és inferior si la comparem amb la utilitzada per la línia Adreno, ja que és personalitzada.
De tota manera, independentment de la versió que ens vagi a arribar de l'Samsung Galaxy S7, sigui amb processador Samsung Exynos o amb el potent processador Qualcomm Snapdragon 820, el que està clar és que la propera generació de vaixells insígnia de Samsung serà realment potent, arribant a trencar la barrera dels 100.000 punts en el conegut lloc de benchmarks AnTuTu.
Recordem que a més d'una pantalla de 5.1 polzades, 5.5 polzades per al Samsung Galaxy S7 Edge, tots els models comptaran amb dues versions, una amb SoC Samsung Exynos 8890 i un altre model amb el processador Qualcomm Snapdragon 820, la nena bonica de Qualcomm. Si a això li sumem els 4 GB de memòria RAM DDR4 juntament amb diferents configuracions amb 32 GB, 64 GB o 128 GB d'emmagatzematge intern ampliable a través del seu safata per a targetes micro SD, estem davant d'un telèfon realment molt complet. I resistent a l'aigua per la qual cosa apunten els rumors!
Ara caldrà esperar la presentació tant de l'Samsung Galaxy S7 com de l'Samsung Galaxy S7 Edge, que us recordo es realitzarà el proper 21 de febrer a les 20:00 hores GTM + 1 i per saber quina versió de la propera generació de vaixells insígnia arribarà al nostre país. Recordeu que, com cada any, estaré al esdeveniment cobrint-en directe perquè sigueu els primers a rebre tota la informació sde la presentació.
Per seguir totes les novetats durant el Mobile World Congress, no dubtis en seguir els dos comptes de Twitter:
