Tot i que el Snapdragon 835 de Qualcomm segueix sent el xip més potent de el moment que està sent incorporat en els vaixells insígnia de gairebé tots els fabricants de mòbils, diversos informes estan apuntant que el proper model en la gamma de processadors d'alta gamma de Qualcomm ja està en fase de desenvolupament. Segons aquests detalls, el SoC es dirà Snapdragon 845 i estarà construït en base a un procés de 7nm,
A l'sembla, TSMC va arrencar el desenvolupament de l'procés de 7nm el passat mes d'abril i ara mateix es troba en fase de producció de prova, a el mateix temps que el Snapdragon 845 també està en ple desenvolupament i el seu llançament estaria previst per a començaments de l'2018, Just a temps per estrenar-se amb el Samsung Galaxy S9, A l'igual que ho va fer aquest any el Snapdragon 835 amb el Galaxy S8.
Per descomptat, Qualcomm no serà l'única a utilitzar el procés de 7nm per a la seva xip, ja que altres fabricants com Huawei, NVIDIA i MediaTek, entre d'altres, planegen recórrer a la tecnologia de 7nm per als seus propis processadors.
Segons els primers detalls, els processadors fabricats amb aquest nou procés de 7nm experimentaran millores de rendiment d'entre un 25 i un 35 per cent en comparació amb el actual procés de 10nm que s'ha utilitzat durant la fabricació de l'Snapdragon 835.
A més, es creu que els xips podran experimentar aquesta millora de rendiment sense que siguin necessàriament més grans, sinó tot el contrari, el que podria donar lloc a l'arribada d'uns smartphones encara més fins.
El nou informe arriba poc després d'una altra filtració del mes passat, quan es va saber inicialment que havia arrencat el desenvolupament de l'Snapdragon 845 i que es faria servir per primera vegada al Galaxy S9, de manera que la novetat més important en aquest cas és l'ús de el procés de 7nm.
Font: GizChina